氧化擴散系統B A-1 Dry Oxide 正常 | 氧化擴散系統B A-2 P-type Anneal 正常 | 氧化擴散系統B A-3 Wet Oxide 正常 | 氧化擴散系統B A-4 N-type Anneal 正常 | 氧化擴散系統B B-1 sintering forSiO2 正常 |
氧化擴散系統B B-2 sintering for High K/SiGe 正常 | 氧化擴散系統B B-3 sintering for forming gas 正常 | 低壓化學氣相沉積系統(LPCVD)A Poly-Si in-situ PH3 正常 | 低壓化學氣相沉積系統 (LPCVD)B Poly-SiGe 正常 | 低壓化學氣相沉積系統 (LPCVD)C Nitride 正常 |
低壓化學氣相沉積系統(LPCVD)D TEOS 賴〇言 使用中 | 電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD)-A 正常 | R137 New Double Side Mask Aligner (B) 正常 | R137 Old Double Side Mask Aligner (A) 正常 | R137 Spin Coater(Only Use 4"wafer) 正常 |
矽淺蝕刻系統(Shallow Si RIE) 正常 | 矽深蝕刻系統(Si Deep-RIE) 正常 | 介電材料活性離子蝕刻系統B(RIE 200L) 正常 | 介電質蝕刻系統(RIE-400iP-2) 正常 | 高密度活性離子蝕刻系統(HDP-RIE) 正常 |
R101 李佩雯教授SEM設備 正常 | 熱阻絲蒸鍍系統(Thermal Coater) 正常 | 雙電子槍蒸鍍系統 A (Dual E-Gun A) 正常 | 雙電子鎗蒸鍍系統 B (Dual E-Gun B) 正常 | 真空濺鍍系統 A (Sputtering System A) 正常 |
真空濺鍍系統 B (Sputtering System B) 正常 | 冷場發射掃描式電子顯微鏡SEM(SU-8010) 宋〇廷 使用中 08:31~09:30 | 原子層化學氣相沉積系統(ALD)-A 詹〇期 使用中 | 原子層化學氣相沉積系統(ALD)-B 林〇憲 使用中 | 電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD)-B 正常 |
高解析度場發射掃描電子顯微鏡SEM(S-4700I) 正常 | 全光譜反射式膜厚量測 正常 | 四點探針(無需預約,自行找設備管理人設定使用權限) 正常 | 橢圓測試儀 正常 | R120 Spin Coater(Only Use Wafer Fragment) 正常 |
R141 Wet Bench(無刷卡機,不需要線上預約) 正常 | 聚焦離子束與電子束顯微系統(FIB) 測試 | R120 探針式輪廓儀 (Dektak XT) 正常 | R137 Microscope (B) 正常 | 高真空鍍膜系統(High vacuum deposition system) 正常 |
工六館R212鍍金機 詹〇穎 使用中 | 介電材料活性離子蝕刻系統A(RIE-400iP-1) 正常 | 圖型產生系統(詳洽管理人員) 維修 | R117 Mircoscope (A) 正常 | R122-Picosun(ALD)-B 正常 |
R122-Picosun(ALD)-A 正常 | R129 快速退火系統(RTA) 正常 | R122 Veeco ALD-A 正常 | R122 Veeco ALD-B 正常 | I-line Stepper步進式曝光機 正常 |
RTP-A 正常 | RTP-B 正常 |